1）對于過流保護設置值問題：
電流保護閥值選取:流過FET 的電流包括音頻輸出和LPF 濾波網絡電流，所以；實際要求設置值要高于音頻電流峰值。我比較喜歡這樣選取：功放飽和輸出時的最大輸出電流X1.5；2）RDSON選取：可以根據實際最高工作溫度選取，通常可以取85C 時的RDSON 值；3）有了電流和RDSON，就可以選IC 的保護值了。這里需要注意的是大電流下的FET 開關波型應該是很干凈的方波，如果有毛刺的話，可以適當增加柵電阻和優化退耦結構。對于直流輸出問題：可能重載時；電源電壓跌落，但；由于變壓器或負載正負不對稱，正負電源電壓跌落不一致，致使功放某一半波提前飽和輸出了。出現這問題時；通常不是功放問題，你可以略微提高電源電壓增加水塘電容試試。
2）一般理想的工程條件下，半橋工作的實際死區時間越短越好，最小可以設置到10 納秒
3）IRS2092S 做全頻功放時應注意的問題，最好能選擇線性度比較好的元件，調制頻率選擇在300~400KHz，適當匹配LC 濾波器的L/C 的值，可以比較要的解決問題。推薦L 選取18~22μH。如果要進一步改善平坦度，L 可以取到10μH，同時；調制頻率提高到400KHz 左右。
4）PWM 調制及咔噠聲抑制問題：電路的過度過程不匹配，前級電源電壓降落引起
的電壓飄逸被后級放大造成的。調整一下時續可以解決問題。
另：IRS2092/S 已經在IC 內加入開關機消“咔噠”功能。一般無需外加電路。
5）針對不同Qg 的MOS，柵電阻怎么選擇，Qg 太大2092 發熱非常快的解決：可以用降頻或增加柵電阻方式降低IRS2092 的溫升，一般；Qg 和開關頻率并不是IC 發熱的主要原因，發熱可能更多的源于開關管產生的電壓過沖，改善PCB 布線和退耦可以抑制IC 發熱。對于300W 額定輸出功率，推薦IRFI4020-117P會更好些。
6）做500W的功放可以用IRS2092 搭配IRF6785MTRPbF 兩并，PCB 設計合理的話；THD+N可以達到0.02%以上的水平。IRFB4227 也可以用在這寬功放中，只是效果會差些。
7）對于MOS管的發熱，MOS 管發熱是多種原因造成的，首先；電壓電流規格要合適，過大或過小都會加重發熱量。其次；選用專用驅動IC 和MOSFET。再次；注意PCB 設計布局，選擇合適的安裝位置和規格。
8）用IRS2092 實現更大功率輸出時建議不要擴流，否則；很難保證匹配精準。IRS2092 做千瓦以下級的功放已經足夠了。
9）D 類功放在高音部分變音是因為：LC 濾波器和調節器都是低通結構，它們對高頻信號都有一定的衰減，就會聽到變音。可以改善這兩部分的參數，達到要求的帶寬
10）IR 最新的MP4，MP5 和MP7 這三個DEMO 版，它們的頻帶都可以達到24K 之上，在4 歐姆條件下，比最早的DEMO略微一點加寬，如果帶8歐姆負載的話，其實帶寬遠超過48K 了，主要是內部有個LC 濾波器的帶寬把它抑制了。為保證音頻帶寬的足夠寬度，兼顧本身功耗相對比較低的要求，用了一個22 微亨的電感，如果說需要把帶寬加寬，只要把這個電感值略微減少，比如說16 到18 微亨，它的帶寬就可以加寬，音響功放本身達到60K，是沒有任何問題的，經測試，功放完全可以帶3ohm或2ohm負載由于演示板內部選擇的過優保護點和MOSFET 是按照4ohm 負載設置，它并不能夠在兩歐姆的時候輸出功率加倍。另外；這個電路目前是非常穩定。
11）死區時間對THD 的有多大影響？
死區對THD 的影響是非常的大的，實際上相當于對正弦波的波低削了一下，如果做諧波測試的話，增加的主要是三次諧波，它尤其對音色的影響更是很大，我們曾經測試過，如果說有個50納秒的死區時間的話，如果沒有做反饋，THD 的值可以達到2.8%，如果聽音的話，會感到非常的干澀，所以說死區時間對THD 是非常重要的，所以在這里強調一點是高底邊的互鎖匹配和MOSFET 的QGD 這個值，還有MOSFET 的引線電感。
12）IR2092 做低音炮時的載波頻率計算和測試：
IR2092 由二介反饋電容大小來決定的，在決定了輸入阻抗和輸出阻抗，這兩個電容決定了它的頻帶，一般來講，我們建議在低音功放場合，調制頻率一般是限制48k 到100K 之間，實際上對于低音炮來講，它的輸出頻率通常不會超過600 赫茲，100K 的調制頻率對600 赫茲來說已經是足夠了。比較低的調制頻率，可以允許MOSFET 的開關速度相對比較慢，以獲得更低的噪音，也可以降低總體開關損耗，把效率提高到百分之98 的水平，因為把調制頻率降低以后，輸出電感通常要加大的，按照我們目前的經驗，如果是帶1 歐姆的低音喇叭的話，那么濾波電感一般可以選擇在60 微亨左右，這個時候低音比較渾厚。
13）。避免噪音干擾主要有幾方面，
一方面是選用專用的驅動器和專用的MOSFET，這樣它的噪音會非常的低，我們現在的IRAUDIOMP4 和MP5 的DEMO 版，可以直接接收音機而不會干擾。這可能是業界唯一的解決方案。第二點，我們的PCB 設計是非常有特色的，元器件線連接是非常專業的，是解決前期噪音的方法之一，總體來講，D 類功放的設計要求很高，主要原因是內部頻率比較高，這樣MOSFET 電流會被調制分割，里面有非常高的射頻分量，這些分量會在PCB 上面產生聚膚效應。高頻噪音如果擴散；就會調制運算放大器產生一些背景噪音，這需要多方面的技巧去解決，另一方面2092 集成了高（射）頻噪音免疫的放大器。所以D 類放大器里面要解決多種問題，很多理論已經超出了傳統AB 類放大器的知識范疇。D 類放大器設計很講究效率，而AB 類更多的是講的是信號保真，由此；增加了很多的要求，對現在的工程師來講，設計D 類功放；遇到更多的是挑戰，但是這個背后將是獲得更高的效率和更好的音質的成就。
14）D 類功放是一個系統，除了效應管以外，還是需要驅動器，電容電感等等，由于它是工作在大功率條件下，它的材質，屏蔽性和放置方式都是非常講究的，首先，電感我們推薦盡可能做屏蔽性結構，比如說是用PM 或者是PQ 結構，當然是最好的，即便用這些結構會發現磁場的輻射方向是不一樣的，有些是前后的，有些是向下的，這些方向必須正交于PCB 的信號線的布局方向，這樣不會有磁場的干擾進入到系統里面，或者是干擾最小，這樣系統就可以獲得最好的效益。
15）關于死區時間選擇：死區時間設置和客戶選用的MOSFET 參數是密切相關的，原因有兩方面，一方面是各款MOSFET的密勒效應不一樣，即便MOSFET 的驅動電阻相等，但由于Qgd 不相同，不同程度抑制了MOSFET關斷，所以對死區時間要相應的放長，另外各款MOSFET 寄生二極管的恢復速度不同，等效導通時間不等，設置死區時間一定要長于MOSFET 寄生二極管的恢復時間，否則就會形成比較嚴重的短路，功放對這類噪音非常敏感。所以要注意，MOSFET 的寄生二極管必須是肖特基的，否則你會發現，它的發熱量至少會提高一倍，音色也會硬很多。
16）關于肖特基二極管，市面上面是沒有一個理想的肖特基，理想的肖特基是要求壓降在0.25V 以下，目前來講只有15V 的肖特基接近這個值。無論是多么理想的肖特基，在MOSFET 上面并聯是不可取的，主要原因是MOSFET 是一個個體結構，它的引線電感通常是在13nH，同樣電流肖特基管通常也是T-220 封裝，它們的引線電感值接近。為了在摩斯管關斷的時候，把電流擠到旁邊的肖特基管里面去（MOSFET 寄生二極管壓降通常是在0.6 伏左右），所有引線感應電壓不能超過0.6 伏，否則；寄生二極管就會開啟。MOSFET 和肖特基并聯時，從MOSFET 管芯看，引線電感是串聯的。對于一個超過20nH 的電感，感應電壓又不能超過0.6的條件下，它允許電流非常非常小的，所以說當功率稍微大點的時候，肖特基并聯作用將基本消失殆盡，所以原則講是不建議并聯肖特基在MOSFET 上。
17）音響專用MOSFET 和普通開關型MOSFET 的主要區別是什么？
音響專用MOSFET 和普通開關型MOSFET 的區別是在三個方面，第一點是音響專用的MOSFET 是肖特基型的，由于它的調制頻率達到了400K，電壓基本上要達200 伏，在這個電壓下面硬開關工作，而且；每周期都有續流要求，對MOSFET 要求遠超過普通開關電源，所以它的MOSFET 必須是肖特基型結構。第二點是MOSFET 的Qgd 的值也是不同的，專用摩斯管的值是優化的，Qgd 值的減小能夠保證輸出的脈寬精度，而我們普通的開關型的MOSFET，它主要強調的是成本和開關損耗的綜合值。它對脈寬的損失并不考慮，普通開關型的MOSFET 輸出的主要是PWM 信號，它不對高頻響應做任何處理，而專用音響MOSFET，要求響應到24K 以上的頻帶，所以它的響應是非常的快。第三，柵寄生內阻。音響的MOSFET 對脈沖奇變的抑制能力要高于開關電源的MOSFET，專用的MOSFET 柵寄生內阻通常在1 歐姆左右，這個值已經遠遠的小于驅動電阻，而開關型的值通常在十幾歐姆到幾十歐姆，專用音響MOSFET，控制這個值后，能有效保證脈沖寬度的精準，音響的MOSFET 和普通的MOSFET 的區別是非常大，有興趣的話，對比兩個摩斯管的測試結果，會發現無論是從功耗還是從音質上面來講，區別是非常明顯的。
18）在半橋電路結構設計中，為甚么有時母線電壓會上升？
喇叭是一個特殊的東西，表面看；它是歐姆型的，但；由于本身固有頻率特性的限制，在廣譜的頻率/功率范圍，阻抗呈山脈起伏似的變化。在輸出的頻率高于它本身的頻率，它表現出容性阻抗；低于頻率諧振點時表現為感性。對于擁有多個諧振點；且是非完全彈性型變體的喇叭而言，阻抗變化非常復雜。這些感性或容性特性表明，喇叭會在不同時間儲存或釋放或大或小的能量，它會在電環路里面形成能量循環，就是說喇叭里面的機械動能或電磁能量會被D 類調制開關回收到電源里面或充到喇叭里，這時候會發現電源電容電壓會升起或下降，同樣當喇叭在輸出功率的時候，它也會把電容里面的能量放到喇叭里推動音盆，作為音頻的動力，這時候會發現電源是波動的了，這也是效率會非常高的原因，它會把未專換有效機械動能的能量和一些無功阻抗分量寄存循環能量會全部回收起來，而AB 類是無法回收的，正因為如此，D 類功放的阻尼系數和效率遠遠超過AB 類，通常條件下，如果D 類功放做的好的話，它的阻尼系數可以達到110dB。
19）D 類功放的輸出濾波電感怎樣選擇？輸出濾波電感發熱量大是什么原因？怎樣解決？
這類功放的材質目前有兩種用的比較多，一種稱之為醒鐵粉材料，實際上是一種超細微鐵粉材料，用環氧樹脂混合澆鑄形成的環。另外一個就是常見的國產的R2KBD 材料，這個材料的性能原則上講是超過PC40，主要原因是RKBD 材料它的磁感強度可以達到4800 左右，而PC40 只能達到3500 左右。R2KBD 材質居里溫度達到250゜C，遠高于PC40，從抗音頻飽和程度和可靠性講來講，國產材料優于進口材料。
20）大電流場效應管與IR 的驅動電流的關系是如何？
MOSFET 開通的時候，最重要的是有一個電強壓的方式來啟動，當我們輸入電壓到柵級的時候，就好像是我們加電壓在電容上面一樣，所以我們開通MOSFET 的時候，小電流的MOSFET 的柵電容是會比較大的，會影響功放開關的表現從而影響音質，所以大電流場效應管要考慮到驅動電流是多大，并配以適當Qg 的MOSFET.
IRS2092典型應用電路圖
|
