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內(nèi)置MOS管TP8350、TP8356升壓芯片驅(qū)動大電流方案
文章來源: 更新時間:2011/6/4 14:12:00
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典型應用電路:

輸入電源為鋰電池(3.2vVin4.2v

1.驅(qū)動負載150mAIo500mA

1TP8350典型應用電路

   

鋰電池輸入條件下TP8350驅(qū)動大負載電路

 

建議各器件參數(shù)L=47uH(內(nèi)阻<0.1ohm),Cin=47uF(實際應用中可不接該電容),

Diode=1N58171N58181N5819,

Cout20uF電解電容(或20uF膽電容串聯(lián)0.5歐姆電阻)和0.1uF陶瓷電容并聯(lián)。

驅(qū)動400mA負載下,效率高于80%

2TP8356典型應用電路

鋰電池輸入條件下TP8350驅(qū)動大負載電路

建議各器件參數(shù)L=100uH(內(nèi)阻<0.1ohm),Cin=47uF(實際應用中可不接該電容),

Diode=1N58171N58181N5819,

Cout20uF電容(不分電解電容、膽電容)串聯(lián)0.5歐姆電阻和0.1uF陶瓷電容并聯(lián)。

驅(qū)動400mA負載下,效率高于80%

 

2  驅(qū)動負載Io<150mA

       TP8350、TP8356外圍器件參數(shù)參照TP83規(guī)格書中典型應用電路的參數(shù)。

 

注意:TP8350、TP8356應用中陶瓷電容0.1uF~1uF必須接上,并且靠近芯片輸出端。

詳細的產(chǎn)品資料及銷售信息請查閱:http://www.wujiu5zhuce.cn/products_3620.htm

 
 
 
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