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kywork 推出低損耗高性能寬帶DC-8GHz密封砷化鎵(GaAs)IC單刀雙擲(SPDT)吸收性開關
文章來源: 更新時間:2015/8/7 10:32:00
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kywork 推出低損耗高性能寬帶DC-8GHz密封砷化鎵(GaAs)IC單刀雙擲(SPDT)吸收性開關

通過其米爾皮塔斯,加利福尼亞州的子公司Isolink,思佳沃本的公司,MA,USA(該公司生產的模擬和混合信號半導體)推出了低損耗,高性能寬帶DC-8GHz的密封砷化鎵(GaAs)IC單刀雙擲(SPDT)開關吸收。

適用于高可靠性的空間,衛星和國防應用中,ISO13286執行,具有50dB的隔離,在4GHz的和1.5分貝低損失的4GHz。測試是可用的MIL-PRF-38535 B類和S中,除了所需要的質量一致性檢驗(QCI)的篩選要求。

該ISO13286模具制造與Skyworks的GaAs偽高電子遷移率晶體管(pHEMT制)的過程,這表明輻射的耐受性100kRad。該器件采用7引腳表面貼裝技術(SMT)0.385-英寸×0.345-英寸×0.065英寸封裝。

樣品和評估板可供選擇。價格取決于數量。

 
 
 
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