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中國大陸半導體的戰略布局
文章來源: 更新時間:2017/1/16 14:29:00
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長江存儲成立后,中國大陸在這個階段于半導體的宏觀布局重新成形。但是為什么挑由存儲器入手?這是個關鍵選擇。尤其是在臺灣的 DRAM 產業甫因規模經濟不足導致研發無法完全自主而緩緩淡出之際,這樣的選擇需要一番辯證。進口替代當然是原因之一,但不是全部。

回歸基本面來看。半導體之所以為高科技是因為有摩爾定律,容許其不斷的制程微縮,而其經濟效益也高度依賴摩爾定律。DRAM 在很長的一段時間里是半導體業的驅策技術(driving technology),也就是說DRAM的制程領導其它的半導體制程前進。半導體的先行者AT&T、Intel都曾投入這產業,日本90年代的半導體霸業、臺灣、韓國的半導體產業崛起,都與DRAM息息相關。如果不健忘的話,臺灣的DUV、CMP、12寸廠等先進技術都是由DRAM廠率先引入。

在2000年初后,邏輯與NAND的制程進展相繼超越DRAM,DRAM失去了其驅策技術的地位。邏輯制程持續往平面微縮的方向前進,能見度到3納米,還有3、4個世代可行;NAND往
3D堆疊走,這個方向能走多遠尚未可知,但是短時間內碰不到物理極限,是比較技術面可克服的問題。邏輯的平面制程微縮與NAND的3D堆疊同時是未來半導體業的驅策技術,中國大陸作為后發者選擇最近才興起、后面發展道路長的驅策技術投入,是比較合理的做法。至于DRAM,已于20納米久滯,雖然仍有機會繼續緩慢推進到10納米,但其制程技術主要是針對DRAM,很難嘉惠于其它產品,戰略性比較不足。

所以中國大陸選擇3D NAND重新出發,3D的制程技術還有機會應用到其它產品,譬如3D MRAM。至于研發的規模經濟,由其所投資相應的生產規模來看,如果有盈余的話,是有機會支撐持續的自主研發的。剩下來的問題是NAND的技術靈不靈?中國大陸NAND的技術授權引入研發已有好幾年了,以前的表現頗有波折,就連二維平面NAND的生產也稱不上順利。現在要當成主要的產品并結合
3D制程,恐是個有點高風險的選擇!

 
 
 
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