| 隨著節(jié)能成為全球范圍關(guān)注的焦點(diǎn)，電機(jī)設(shè)計(jì)的能效也成為一個(gè)引人關(guān)注的問(wèn)題。由于各國(guó)政府相繼出臺(tái)各種法規(guī)來(lái)要求提高能效，為了應(yīng)對(duì)能效挑戰(zhàn)，電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路變得越來(lái)越復(fù)雜。本文討論電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路的產(chǎn)品和行業(yè)趨勢(shì)，并提供有助于設(shè)計(jì)人員降低能耗、提高可靠性、減少元件數(shù)量、實(shí)現(xiàn)環(huán)保的解決方案。
工業(yè)領(lǐng)域的電機(jī)種類
近100年來(lái)，電器產(chǎn)品主要使用感應(yīng)電機(jī)，即使是變頻驅(qū)動(dòng)型電器，也是采用感應(yīng)電機(jī)。現(xiàn)在某些新型電器開(kāi)始采用效率更高、尺寸更緊湊、重量更輕的電機(jī)。這些新型電機(jī)可分為兩大類，即無(wú)刷直流電機(jī)和開(kāi)關(guān)磁阻電機(jī)。
許多常見(jiàn)的家用電器都采用帶變頻驅(qū)動(dòng)的無(wú)刷直流電機(jī)。這類高效的通用電機(jī)具有很高的轉(zhuǎn)矩密度。隨著能源價(jià)格飆升，業(yè)界重新燃起了對(duì)無(wú)刷直流電機(jī)的興趣。但一直以來(lái)，成本以及驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)的整體復(fù)雜性阻礙了這種電機(jī)的廣泛采用。
開(kāi)關(guān)磁阻電機(jī)則多用于吸塵器和手持電動(dòng)工具這類不關(guān)注電機(jī)噪聲和轉(zhuǎn)矩波動(dòng)的電器中。開(kāi)關(guān)磁阻電機(jī)的特點(diǎn)是轉(zhuǎn)矩大、轉(zhuǎn)速高，但價(jià)位非常具有競(jìng)爭(zhēng)力。
無(wú)刷直流電機(jī)和開(kāi)關(guān)磁阻電機(jī)都要利用一個(gè)微控制器或DSP來(lái)進(jìn)行波形調(diào)節(jié)，然后用功率開(kāi)關(guān)(功率 MOSFET或 IGBT) 放大這些調(diào)節(jié)后的波形。
驅(qū)動(dòng)電路
設(shè)計(jì)變頻驅(qū)動(dòng)電路可有以許多不同的方式。在典型的三相電機(jī)中，最流行的低頻驅(qū)動(dòng)方案是梯形波驅(qū)動(dòng)電路，如圖1所示。圖2給出了梯形波驅(qū)動(dòng)電路的實(shí)際測(cè)試波形。
圖1：最流行的低頻驅(qū)動(dòng)方案——梯形波驅(qū)動(dòng)電路。
圖2：梯形波控制方法及實(shí)際測(cè)試波形。
果需要更高的頻率和性能，可采用PWM方法來(lái)產(chǎn)生正弦波。若要再進(jìn)一步提高效率，便可采用空間矢量調(diào)制 (Space Vector Modulation) 法。
永磁三相同步電機(jī)有兩個(gè)流行的類型，即正弦永磁同步電機(jī)和梯形波無(wú)刷直流電機(jī)。正弦永磁同步電機(jī)與梯形波無(wú)刷直流電機(jī)(電氣性能)非常相似，它們的區(qū)別主要體現(xiàn)在以下兩個(gè)方面：(1)電機(jī)構(gòu)造或者說(shuō)反電動(dòng)勢(shì) (BEMF) 的波形不同，一個(gè)是感應(yīng)電壓正弦永磁同步電機(jī)，另一個(gè)是梯形波無(wú)刷直流電機(jī)；(2)控制電壓的波形不同，一個(gè)采用三相正弦(所有三個(gè)相位同時(shí)有電流流過(guò))，一個(gè)采用矩形六步換流。
在新型驅(qū)動(dòng)裝置中，正弦永磁同步電機(jī)越來(lái)越流行，開(kāi)始在很多應(yīng)用中取代有刷和無(wú)刷直流電機(jī)、通用(交流異步)電機(jī)和其它電機(jī) (如家用變頻空調(diào)，工業(yè)縫紉機(jī)等)。其原因是它更可靠 (無(wú)刷)、效率更高、噪聲更小，而且在電控制方面具有非常高的電壓利用率及低頻轉(zhuǎn)矩。圖3和圖4分別給出了一種基于磁場(chǎng)定向控制(FOC)的無(wú)位置傳感矢量控制器的系統(tǒng)框圖及其實(shí)驗(yàn)波形。
圖3：內(nèi)置式永磁同步電機(jī)(IPMSM)矢量控制系統(tǒng)框圖。
圖4：電磁轉(zhuǎn)矩方程式以及相電流與估算角度的實(shí)驗(yàn)波形。
創(chuàng)新解決辦法：智能功率模塊
智能功率模塊(SPM)是微控制器或DSP與電機(jī)之間的功率接口，能減小電機(jī)體積并簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)。這種模塊較之于分立式解決方案的優(yōu)勢(shì)在于寄生電感更小、可靠性也更高，這是因?yàn)槟K內(nèi)的所有功率器件都采用了同批次芯片，具有一致的測(cè)試性能。這種智能功率模塊可與微控制器低電壓TTL或CMOS輸出直接接口，并帶有保護(hù)電路。模塊內(nèi)置有監(jiān)視結(jié)溫的熱敏電阻器、防止上下橋臂直通的邏輯保護(hù)電路、死區(qū)時(shí)間控制，以及用于最大限度減少EMI等的驅(qū)動(dòng)波形整形電路。在模塊中，每個(gè)驅(qū)動(dòng)IC均可進(jìn)行優(yōu)化，使其以最小的EMI和驅(qū)動(dòng)損耗來(lái)完成功率器件的開(kāi)關(guān)動(dòng)作。三相驅(qū)動(dòng)模塊將繼續(xù)在電器產(chǎn)品廣泛應(yīng)用。圖5給出了馬達(dá)控制使用 SPM 的典型應(yīng)用電路。
圖5：典型的應(yīng)用電路。
圖6：Motion-SPM外型和內(nèi)部結(jié)構(gòu)示意圖。
圖 6為采用Mini-DIP封裝的Motion-SPM智能功率模塊的外觀和內(nèi)部結(jié)構(gòu)示意。Motion-SPM是一款超小型功率模塊，它將功率元件、上下橋臂柵極驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)電路全部集成在一個(gè)雙列直插式移模封裝件中，用于交流100~220V 等級(jí)低功耗電機(jī)驅(qū)動(dòng)變頻控制。
經(jīng)過(guò)設(shè)計(jì)的智能功率模塊，能實(shí)現(xiàn)最大的設(shè)計(jì)靈活性，可用于不同的輸出電壓和功率范圍。
高壓(600V) 橋式驅(qū)動(dòng)技術(shù)
(600V)高壓橋式驅(qū)動(dòng)技術(shù)能實(shí)現(xiàn)小型的低成本模塊，以推動(dòng)電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路的變革。現(xiàn)代的高壓橋柵極驅(qū)動(dòng)電路都經(jīng)過(guò)仔細(xì)設(shè)計(jì)，能降低高壓IC芯片工藝固有的寄生漏極電容。這樣，驅(qū)動(dòng)電路就非常魯棒，足以承受超過(guò)-9V的負(fù)電壓。電源電壓上的正負(fù)尖峰電壓不會(huì)造成驅(qū)動(dòng)電路發(fā)生閂鎖和柵級(jí)控制失效，這是最近10年來(lái)柵極驅(qū)動(dòng)電路的一大變化。匹配傳輸延遲小于50ns，可使開(kāi)關(guān)頻率達(dá)到100kHz或150kHz。IC內(nèi)增加的共模dV/dt噪聲消除電路也有助于降低發(fā)生假性導(dǎo)通的可能性，這也有助于使功率電路更加魯棒，同時(shí)還由于省去了額外的濾波部件，而使電路更加緊湊。現(xiàn)代的IC(如FAN7382和FAN7384)的靜態(tài)電流更小、工作溫度更低，因此可靠性也更高。系統(tǒng)功率板空間和成本的減小體現(xiàn)了模塊化技術(shù)的一大優(yōu)勢(shì)，它省去了上一代電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中常見(jiàn)的4個(gè)電源以及微控制器PC B和功率開(kāi)關(guān) PCB之間的光電耦合電路。
NPT 型與 PT型IGBT的比較
20年來(lái)，電機(jī)驅(qū)動(dòng)一直選用IGBT作為功率開(kāi)關(guān)器件。經(jīng)過(guò)設(shè)計(jì)，IGBT能針對(duì)某一開(kāi)關(guān)頻率最大限度地降低損耗。對(duì)電機(jī)驅(qū)動(dòng)行業(yè)來(lái)說(shuō)，這意味需要適用不同頻率范圍的 IGBT系列，既有針對(duì)某些消費(fèi)電子產(chǎn)品電機(jī)的5kHz開(kāi)關(guān)，也有針對(duì)許多工業(yè)用電機(jī)的20kHz開(kāi)關(guān)，甚至有針對(duì)電機(jī)驅(qū)動(dòng)以外應(yīng)用的更高頻率的開(kāi)關(guān)。
IGBT 技術(shù)的改進(jìn)(如導(dǎo)通電壓和每個(gè)開(kāi)關(guān)周期的關(guān)閉功耗)也進(jìn)一步提高了可靠性，并降低了模塊成本。在最近5年，常規(guī)IGBT在功能方面獲得了巨大的改進(jìn)，新的非穿通型(NPT) IGBT 也得到大規(guī)模應(yīng)用。
NPT IGBT雖然看起來(lái)類似傳統(tǒng)的穿通型(PT) IGBT，但制造方法大不相同。與MOSFET或傳統(tǒng)IGBT不同，在硅片制作過(guò)程中， NPT IGBT采用P型區(qū)和背面金屬區(qū)。
NPT IGBT的導(dǎo)通電壓(VCE(SAT)) 常低于傳統(tǒng)IGBT，或者說(shuō)導(dǎo)通速度慢一些，但它們通常更魯棒，能承受短路或過(guò)流的時(shí)間更長(zhǎng)。這使其在電機(jī)控制應(yīng)用中得到青睞。此外，如果查看這兩種 IGBT的開(kāi)關(guān)波形就會(huì)發(fā)現(xiàn)，NPT IGBT產(chǎn)生的EMI比PT IGBT的低得多。NPT IGBT開(kāi)關(guān)脈沖的下沿基本上是一個(gè)單純的斜坡，而傳統(tǒng)IGBT的卻是一段dI/dt很大的區(qū)域，后接一段電流下降速率很慢的長(zhǎng)尾，且器件的損耗高。在高 dI/dt區(qū)域，傳統(tǒng)IGBT產(chǎn)生的EMI大，一般都會(huì)影響驅(qū)動(dòng)電路，常常需要將功率開(kāi)關(guān)與驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行隔離。NPT IGBT的另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是可與VCE(SAT)形成正溫度系數(shù)關(guān)系，這一特點(diǎn)對(duì)IGBT并聯(lián)應(yīng)用非常有用。
飛兆半導(dǎo)體的低導(dǎo)通阻抗600V SuperFET MOSFET系列產(chǎn)品特別采用DPAK(TO-252)封裝，能滿足用于運(yùn)動(dòng)控制應(yīng)用的最新超纖巧與薄型器件的要求。為最大限度降低開(kāi)關(guān)和導(dǎo)通損耗，以滿足某些高開(kāi)關(guān)頻率電機(jī)控制設(shè)計(jì)的系統(tǒng)效率要求，這些產(chǎn)品的導(dǎo)通阻抗降低至傳統(tǒng)平面MOSFET的1/3(0.6~1.2歐姆)。此外，這些產(chǎn)品還能承受快速的電壓瞬變(dv/dt)和電流瞬變(di/dt)，使系統(tǒng)能在高開(kāi)關(guān)頻率下可靠地工作。
本文小結(jié)
近來(lái)，市場(chǎng)對(duì)節(jié)能家用電器的需求一直很強(qiáng)勁。在家用電器中，一臺(tái)電冰箱的耗電將占整個(gè)家庭耗電的10%以上。由于電冰箱壓縮機(jī)主要工作在低速下，因此改進(jìn)低速下的電機(jī)驅(qū)動(dòng)效率有巨大的節(jié)能潛力。為達(dá)到這一目的，飛兆半導(dǎo)體基于電冰箱和空調(diào)的正弦變頻器，針對(duì)無(wú)刷直流電機(jī)開(kāi)發(fā)了相應(yīng)的解決方案。新的電機(jī)驅(qū)動(dòng)技術(shù)針對(duì)高、低速壓縮機(jī)電機(jī)應(yīng)用，能進(jìn)一步提高總體驅(qū)動(dòng)效率。
據(jù)估計(jì)，工業(yè)電能中有65% 被電機(jī)所消耗，難怪業(yè)界的主要企業(yè)均越來(lái)越重視節(jié)能，將其視為提高利潤(rùn)和競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵。而答案之一就是節(jié)能，尤其是電機(jī)的能耗。這主要有兩種方法，即采用變頻調(diào)速驅(qū)動(dòng)方案高效控制電機(jī)的工作速度，實(shí)時(shí)反饋電機(jī)運(yùn)行狀態(tài)等參數(shù)，以及提高電機(jī)本身的效率和性能，因?yàn)榭勺兯衮?qū)動(dòng)在提高性能的同時(shí)，還可節(jié)能又可提高生產(chǎn)率。 |
