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TLP5814H 可用于驅動碳化硅(SiC)MOSFET的柵極驅動光電耦合器
文章來源:永阜康科技 更新時間:2025/3/7 10:37:00
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東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,最新推出一款可用于驅動碳化硅(SiC)MOSFET的柵極驅動光電耦合器——“TLP5814H”。該器件具備+6.8 A/–4.8 A的輸出電流,采用小型SO8L封裝并提供有源米勒鉗位功能。今日開始支持批量供貨。

在逆變器等串聯使用MOSFET或IGBT的電路中,當下橋臂[2]關閉時,米勒電流[1]可能會產生柵極電壓,進而導致上橋臂和下橋臂[3]出現短路等故障。常見的保護措施有,在柵極關閉時,對柵極施加負電壓。

對于部分SiC MOSFET而言,具有比硅(Si)MOSFET更高的電壓、更低的導通電阻以及更快的開關特性,但柵極和源極之間可能無法施加足夠的負電壓。在這種情況下,有源米勒鉗位電路的應用使米勒電流從柵極流向地,無需施加負電壓即可防止短路。然而由于部分削減成本的設計,導致其在IGBT關斷時減少用于柵極的負電壓。而且在這種情況下,內建有源米勒鉗位的柵極驅動器是可以考慮的選項。

TLP5814H內建有源米勒鉗位電路,因此無需為負電壓和外部有源米勒鉗位電路提供額外的電源。這不僅為系統提供安全功能,而且還可通過減少外部電路來助力實現系統的最小化。有源米勒鉗位電路的導通電阻典型值為0.69 Ω,峰值鉗位灌電流額定值為6.8 A,因此非常適合作為SiC MOSFET的柵極驅動器,SiC MOSFET對柵極電壓變化非常敏感。

TLP5814H通過增強輸入端紅外發射二極管的光輸出并優化光電檢測器件(光電二極管陣列)的設計實現了–40 °C至125 °C的額定工作溫度,從而可提高光耦合效率。因此,面對嚴格熱管理的工業設備,比如光伏(PV)逆變器和不間斷電源(UPS)等是十分適合的。此外,其傳輸延遲時間和傳輸延遲偏差也規定在工作溫度額定值范圍內。其5.85 mm×10 mm×2.1 mm(典型值)的小型SO8L封裝有助于提高系統電路板的部件布局靈活性。此外,它還支持8.0 mm的最小爬電距離,進而可將其用于需要高絕緣性能的應用。

未來東芝將繼續開發光電耦合器產品,助力增強工業設備的安全功能。

應用:

工業設備

-   光伏逆變器、UPS、工業逆變器以及AC伺服驅動等

 

TLP5814H的適用器件

SiC MOSFET

額定電壓超過300 V的高壓Si MOSFET

IGBT

優異

良好

適用

特性:

-   內建有源米勒鉗位功能
-   額定峰值輸出電流:IOP=+6.8 A/–4.8 A
-   高工作溫度額定值:Topr(最大值)=125 °C

主要規格:

(除非另有說明,否則Ta=–40 °C至125 °C)

器件型號

TLP5814H

有源米勒鉗位功能

內置

封裝

名稱

SO8L

尺寸(mm)

典型值

5.85Í10Í2.1

絕對最大額定值

工作溫度Topr(°C)

–40至125

峰值輸出電流IOPL/IOPH(A)

+6.8/–4.8

峰值鉗位灌電流ICLAMP(A)

+6.8

推薦工作條件

電源電壓VCC(V)

13至23

輸入導通電流IF(ON)(mA)

4.5至10

電氣特征

高電平供電電流ICCH(mA)

VCC–VEE=23 V

最大值

5.0

低電平供電電流ICCL(mA)

最大值

5.0

輸入閾值電流(L/H)IFLH(mA)

最大值

3.0

UVLO電壓閾值VUVLO+(V)

最大值

13.2

開關特征

傳輸延遲時間(L/H)tpLH(ns)

VCC=23 V

最大值

150

傳輸延遲時間(H/L)tpHL(ns)

VCC=23 V

最大值

130

共模瞬態抗擾度CMH、CML(kV/μs)

Ta=25 °C

最小值

±70

隔離特征

隔離電壓BVS(Vrms)

Ta=25 °C

最小值

5000

庫存查詢與購買

在線購買

 

注:

[1] 米勒電流:當高dv/dt電壓應用于MOSFET的漏極和柵極之間的電容或IGBT的集電極和柵極之間的電容時,產生的電流。
[2] 下橋臂是從使用電源器件的電路的負載中吸收電流的部件,例如串聯至電源負極(或接地)的逆變器,而上橋臂則是從電源為負載提供電流的部件。
[3] 上橋臂和下橋臂短路:由于噪聲引起的故障或開關過程中米勒電流引起的故障,上下電源器件同時接通的現象。

 
 
 
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