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詳解BLDC的MOS驅(qū)動(dòng)電路
文章來(lái)源:永阜康科技 更新時(shí)間:2025/3/25 15:06:00
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BLDC 的功率級(jí)驅(qū)動(dòng)電路通常由 6 個(gè) N 溝道功率 MOS 管構(gòu)成三相全橋。這 6 個(gè) MOS 管分為兩組,三個(gè)高邊 MOS 連接電源正極(VBus),三個(gè)低邊 MOS 連接電源負(fù)極。通過(guò)控制 MOS 管通斷,實(shí)現(xiàn)電流在電機(jī)繞組中分配,推動(dòng)電機(jī)運(yùn)轉(zhuǎn)。

單個(gè) NMOS 開(kāi)通時(shí),需瞬間提供電流為內(nèi)部寄生電容充電。柵源電壓(VGS)達(dá)到閾值,MOS 管開(kāi)啟。MOS 管開(kāi)通后,需維持 VGS 保持導(dǎo)通狀態(tài),使電流為電機(jī)提供動(dòng)力。

低邊 MOS 管源極(S)接電源負(fù)極,柵源電壓易滿(mǎn)足,驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)單。而高邊 MOS 管的源極連接到電機(jī)相線,其電壓時(shí)刻處于動(dòng)態(tài)變化之中,不確定因素較多。若要開(kāi)通高邊 MOS 管,就需要借助自舉電路來(lái)提供合適的柵極電壓,這一過(guò)程涉及復(fù)雜的電路設(shè)計(jì)和信號(hào)處理,驅(qū)動(dòng)難度大。

一般情況下,MOS 管的導(dǎo)通內(nèi)阻會(huì)隨著 VGS 的增大而降低。當(dāng) VGS 處于 10 - 15V 時(shí),MOS 管能夠達(dá)到最小的導(dǎo)通電阻(RDSON)。此時(shí),電流在電路中傳輸時(shí)的能量損耗大幅降低,從而提高了整個(gè)驅(qū)動(dòng)電路的效率。

控制器通過(guò)控制 6 個(gè) MOS 管通斷,實(shí)現(xiàn) BLDC 換相,調(diào)節(jié)電機(jī)轉(zhuǎn)速、轉(zhuǎn)向,滿(mǎn)足不同應(yīng)用需求,如電動(dòng)汽車(chē)的加減速與能量回收。電機(jī)運(yùn)轉(zhuǎn)中若堵轉(zhuǎn)引發(fā)過(guò)流,MOS 驅(qū)動(dòng)電路能檢測(cè)并切斷電路,保護(hù)控制器和電機(jī),確保系統(tǒng)運(yùn)行。

 
 
 
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